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参数资料
| 型号： | IDT71256L25YI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 29/Apr/2010 |
| 标准包装： | 270 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 28-SOJ |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71256L25YI |
IDT71256S/L
CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics (V CC = 5.0V ± 10%, Military Temperature Ranges)
71256S55 (1)
71256L55 (1)
71256S70 (1)
71256L70 (1)
71256S85 (1)
71256L85 (1)
71256S100 (1)
71256L100 (1)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle
t RC
t AA
t ACS
t CLZ (2)
t CHZ (2)
t OE
t OLZ (2)
t OHZ (2)
t OH
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Select Access Time
Chip Select to Output in Low-Z
Chip Desele ct to Output in High-Z
Output Enable to Output Valid
Output Enab le to Output in Low-Z
Output Disab le to Output in High-Z
Output Hold from Address Change
55
____
____
5
____
____
0
0
5
____
55
55
____
25
25
____
25
____
70
____
____
5
____
____
0
0
5
____
70
70
____
30
30
____
30
____
85
____
____
5
____
____
0
____
5
____
85
85
____
35
35
____
35
____
100
____
____
5
____
____
0
____
5
____
100
100
____
40
40
____
40
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Write Cycle
t WC
t CW
t AW
t AS
t WP
t WR
t DW
t WHZ (2)
t DH
t OW (2)
Write Cycle Time
Chip Select to End-of-Write
Address Valid to End-of-Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data to Write Time Overlap
Write Enab le to Output in High-Z
Data Hold from Write Time ( WE )
Output Active from End-of-Write
55
50
50
0
40
0
25
____
0
5
____
____
____
____
____
____
____
25
____
____
70
60
60
0
45
0
30
____
0
5
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____
____
____
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____
30
____
____
85
70
70
0
50
0
35
____
0
5
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35
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100
80
80
0
55
0
40
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0
5
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____
____
____
____
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____
40
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES:
1. -55° to +125°C temperature range only.
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
6
2946 tbl 13
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PDF描述 |
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参数描述 |
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