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参数资料
| 型号： | IDT7130SA55P |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 8KBIT 55NS 48DIP |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-DIP（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 48-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 7130SA55P IDT7130SA55P-ND |
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Read Cycle No. 1, Either Side (1)
t RC
ADDRESS
t OH
t AA
t OH
DATA OUT
BUSY OUT
PREVIOUS DATA VALID
t BDDH (2,3)
DATA VALID
2689 drw 08
NOTES:
1. R/ W = V IH , CE = V IL , and is OE = V IL . Address is valid prior to the coincidental with CE transition LOW.
2. t BDD delay is required only in the case where the opposite port is completing a write operation to the same the address location. For simultaneous read operations,
BUSY has no relationship to valid output data.
3. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t AOE , t ACE , t AA , and t BDD .
Timing Waveform of Read Cycle No. 2, Either Side (3)
t ACE
CE
OE
DATA OUT
t AOE (4)
t LZ (1)
t HZ (2)
VALID DATA
t HZ (2)
I CC
CURRENT
t PU
t LZ
50%
(1)
t PD (4)
50%
I SS
2689 drw 09
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE or CE .
2. Timing depends on which signal is deaserted first, OE or CE .
3. R/ W = V IH and OE = V IL , and the address is valid prior to or coincidental with CE transition LOW.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t AOE , t ACE , t AA , and t BDD .
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7130LA35TF8 | IC SRAM 8KBIT 35NS 64STQFP |
| 15-38-8120 | CONN FFC FEMALE 12POS .100 TIN |
| IDT70125S55J8 | IC SRAM 18KBIT 55NS 52PLCC |
| 15-38-8108 | CONN FFC FEMALE 10POS .100 TIN |
| 15-38-8118 | CONN FFC FEMALE 11POS .100 TIN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT7130SA55TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64STQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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