- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4136 > IDT7130SA55P (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 8KBIT 55NS 48DIP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT7130SA55P |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 8KBIT 55NS 48DIP |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-DIP（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 48-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 7130SA55P IDT7130SA55P-ND |
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial Military
& Industrial
Unit
Recommended DC Operating
Conditions
Symbol Parameter Min. Typ.
Max.
Unit
V TERM (2)
Terminal Voltage
with Respect
to GND
-0.5 to +7.0
-0.5 to +7.0
V
V CC
GND
Supply Voltage
Ground
4.5
0
5.0
0
5.5
0
V
V
6.0
T BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
-65 to +135
o
C
V IH
Input High Voltage
2.2
____
(2)
V
C
Input Low Voltage
-0.5
V IL
T STG
I OUT
Storage
Temperature
DC Output
Current
-65 to +150
50
-65 to +150
50
o
mA
NOTES:
1. V IL (min.) > -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V TERM must not exceed Vcc + 10%.
(1)
____
0.8
V
2689 tbl 02
2689 tbl 01
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in
the operational sections of the specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V TERM must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage (1)
Grade Ambient GND Vcc
Temperature
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > Vcc + 10%.
Military
Commercial
-55 O C to +125 O C
0 O C to +70 O C
0V
0V
5.0V + 10%
5.0V + 10%
Capacitance (T A = +25°C, f = 1.0MHz)
STQFP and TQFP Packages Only
Symbol Parameter (1) Conditions Max.
Unit
Industrial -40 O C to +85 O C 0V 5.0V + 10%
2689 tbl 03
NOTES:
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
C IN
C OUT
Input Capacitance
Output Capacitance
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
9
10
pF
pF
NOTES:
2689 tbl 05
1. This parameter is determined by device characterization but is not production
tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V CC = 5.0V ± 10%)
7130SA
7140SA
7130LA
7140LA
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current (1)
Output Low Voltage (I/O 0 -I/O 7 )
Open Drain Output
Low Voltage ( BUSY , INT )
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = 5.5V, V IN = 0V to V CC
V CC - 5.5V,
CE = V IH , V OUT = 0V to V CC
I OL = 4mA
I OL = 16mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
0.5
___
Min.
___
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
0.5
___
Unit
μA
μA
V
V
V
NOTE:
1. At Vcc < 2.0V leakages are undefined.
6
2689 tbl 04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7130LA35TF8 | IC SRAM 8KBIT 35NS 64STQFP |
| 15-38-8120 | CONN FFC FEMALE 12POS .100 TIN |
| IDT70125S55J8 | IC SRAM 18KBIT 55NS 52PLCC |
| 15-38-8108 | CONN FFC FEMALE 10POS .100 TIN |
| 15-38-8118 | CONN FFC FEMALE 11POS .100 TIN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7130SA55PF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7130SA55PF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT7130SA55TF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64STQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7130SA55TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64STQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71321LA20J | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。