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参数资料
| 型号： | IDT7132SA35P |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 35NS 48DIP |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-DIP（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 48-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 7132SA35P |
IDT7132SA/LA and IDT 7142SA/LA
High Speed 2K x 8 Dual Port Static RAM
AC Test Conditions
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
5V
GND to 3.0V
3ns Max.
1.5V
1.5V
Figures 1, 2, and 3
2692 tbl 07
5V
DATA OUT
1250 ?
DATA OUT
1250 ?
,
775 ?
30pF*
775 ?
5pF*
*100pF for 55 and 100ns versions
Figure 1. AC Output Test Load
Figure 2. Output Test Load
(for t HZ , t LZ , t WZ , and t OW )
* Including scope and jig
5V
270 ?
BUSY
30pF*
*100pF for 55 and 100ns versions
Figure 3. BUSY AC Output Test Load
6
2692 drw 06
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ACB75DHAD | CONN EDGECARD 150PS R/A .050 DIP |
| IDT7140LA35PF | IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP |
| AMC13DTEN | CONN EDGECARD 26POS .100 EYELET |
| IDT7130LA35PF | IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP |
| AMC13DTEH | CONN EDGECARD 26POS .100 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7132SA55C | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 48DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7132SA55CB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS SB48 |
| IDT7132SA55J | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7132SA55J8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7132SA55JI | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) 其它名称:CAV24C32WE-GT3OSTR |
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