参数资料
型号: IDT7132SA35P
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 7/16页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 16KBIT 35NS 48DIP
标准包装: 7
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 16K (2K x 8)
速度: 35ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 48-DIP(0.600",15.24mm)
供应商设备封装: 48-PDIP
包装: 管件
其它名称: 7132SA35P
IDT7132SA/LA and IDT 7142SA/LA
High Speed 2K x 8 Dual Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (3,5)
7132X20 (2)
7142X20 (2)
Com'l Only
7132X25 (2)
7142X25 (2)
Com'l, Ind
& Military
7132X35
7142X35
Com'l &
Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
t ACE
t AOE
t OH
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
20
____
____
____
3
____
20
20
11
____
25
____
____
____
3
____
25
25
12
____
35
____
____
____
3
____
35
35
20
____
ns
ns
ns
ns
ns
t LZ
Output Low-Z Time
(1,4)
0
____
0
____
0
____
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,4)
____
10
____
10
____
15
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time
(4)
0
____
0
____
0
____
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time
(4)
____
20
____
25
____
35
ns
2692 tbl 08a
7132X55
7142X55
Com'l &
Military
7132X100
7142X100
Com'l &
Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
t ACE
t AOE
t OH
t LZ
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time (1,4)
55
____
____
____
3
5
____
55
55
25
____
____
100
____
____
____
10
5
____
100
100
40
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,4)
____
25
____
40
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time
(4)
0
____
0
____
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time (4)
____
50
____
50
ns
2692 tbl 08b
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-Impedance Voltage Output Test Load (Figure 2).
2. PLCC package only.
3. 'X' in part numbers indicates power rating (SA or LA).
4. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
5. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact your sales office.
7
6.42
相关PDF资料
PDF描述
ACB75DHAD CONN EDGECARD 150PS R/A .050 DIP
IDT7140LA35PF IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP
AMC13DTEN CONN EDGECARD 26POS .100 EYELET
IDT7130LA35PF IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP
AMC13DTEH CONN EDGECARD 26POS .100 EYELET
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT7132SA55C 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 48DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7132SA55CB 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS SB48
IDT7132SA55J 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)
IDT7132SA55J8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)
IDT7132SA55JI 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz,400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) 其它名称:CAV24C32WE-GT3OSTR