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参数资料
| 型号： | IDT71V256SA15PZGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 15NS 28TSOP |
| 标准包装： | 234 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 1255 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 71V256SA15PZGI 800-1468 |
Lower Power
3.3V CMOS Fast SRAM
256K (32K x 8-Bit)
IDT71V256SA
Ideal for high-performance processor secondary cache
Features
◆
Description
The IDT71V256SA is a 262,144-bit high-speed static RAM organized
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
Commercial (0°C to +70°C) and Industrial (–40°C to +85°C)
temperature range options
Fast access times:
– Commercial and Industrial: 10/12/15/20ns
Low standby current (maximum):
– 2mA full standby
Small packages for space-efficient layouts:
– 28-pin 300 mil SOJ
– 28-pin TSOP Type I
Produced with advanced high-performance CMOS
technology
Inputs and outputs are LVTTL-compatible
Single 3.3V(±0.3V) power supply
as 32K x 8. It is fabricated using IDT’s high-performance, high-reliability
CMOS technology.
The IDT71V256SA has outstanding low power characteristics while
at the same time maintaining very high performance. Address access
times of as fast as 10ns are ideal for 3.3V secondary cache in 3.3V
desktop designs.
When power management logic puts the IDT71V256SA in standby
mode, its very low power characteristics contribute to extended battery life.
By taking CS HIGH, the SRAM will automatically go to a low power standby
mode and will remain in standby as long as CS remains HIGH. Further-
more, under full standby mode ( CS at CMOS level, f=0), power consump-
tion is guaranteed to always be less than 6.6mW and typically will be much
smaller.
The IDT71V256SA is packaged in a 28-pin 300 mil SOJ and a 28-pin
300 mil TSOP Type I.
Functional Block Diagram
A 0
V CC
A 14
ADDRESS
DECODER
262,144 BIT
MEMORY ARRAY
GND
I/O 0
INPUT
I/O CONTROL
DATA
CIRCUIT
I/O 7
CS
,
OE
WE
CONTROL
CIRCUIT
1
3101 drw 01
JUNE 2012
?2012 Integrated Device Technology, Inc.
DSC-3101/09
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| IDT71V256SA15PZI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V256SA15PZI8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
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