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参数资料
| 型号： | IDT71V256SA15PZGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 15NS 28TSOP |
| 标准包装： | 234 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 1255 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 71V256SA15PZGI 800-1468 |
IDT71V256SA
3.3V CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
AC Test Load
3.3V
320 ?
DATA OUT
GND to 3.0V
3ns
1.5V
1.5V
See Figures 1 and 2
3101 tbl 09
Commercial and Industrial Temperature Ranges
3.3V
320 ?
DATA OUT
350 ?
30pF*
,
350 ?
5pF*
,
3101 drw 04
3101 drw 05
Figure 1. AC Test Load
*Includes scope and jig capacitances
Figure 2. AC Test Load
(for t CLZ , t OLZ , t CHZ , t OHZ , t OW , t WHZ )
AC Electrical Characteristics
(V CC = 3.3V ± 0.3V, Commercial and Industrial Temperature Ranges)
71V256SA10
71V256SA12
71V256SA15
71V256SA20
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle
t OLZ
t RC
t AA
t ACS
t CLZ (1)
t CHZ (1)
t OE
(1)
t OHZ (1)
t OH
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Select Access Time
Chip Select to Output in Low-Z
Chip Select to Output in High-Z
Output Enable to Output Valid
Output Enable to Output in Low-Z
Output Disable to Output in High-Z
Output Hold from Address Change
10
____
____
5
0
____
3
2
3
____
10
10
____
8
6
____
6
____
12
____
____
5
0
____
3
2
3
____
12
12
____
8
6
____
6
____
15
____
____
5
0
____
0
0
3
____
15
15
____
9
7
____
7
____
20
____
____
5
0
____
0
0
3
____
20
20
____
10
8
____
8
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Write Cycle
t WC
t AW
t CW
t AS
t WP
t WR
t DW
t DH
t OW (1)
t WHZ (1)
Write Cycle Time
Address Valid to End-of-Write
Chip Select to End-of-Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data to Write Time Overlap
Data Hold from Write Time
Output Active from End-of-Write
Write Enable to Output in High-Z
10
9
9
0
9
0
6
0
4
1
____
____
____
____
____
____
____
____
____
8
12
9
9
0
9
0
6
0
4
1
____
____
____
____
____
____
____
____
____
8
15
10
10
0
10
0
7
0
4
1
____
____
____
____
____
____
____
____
____
9
20
15
15
0
15
0
8
0
4
1
____
____
____
____
____
____
____
____
____
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTE:
1. This parameter guaranteed with the AC test load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
4
3101 tbl 10
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