- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4148 > IDT71V25761S183PFG (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 183MHZ 100TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V25761S183PFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 18/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 183MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 183MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
IDT71V25761 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
JTAG Interface Specification (SA Version only)
t JCYC
t JF
t JCL
t JR
t JCH
TCK
Device Inputs (1) /
TDI/TMS
Device Outputs (2) /
t JS
t JH
t JDC
TDO
TRST ( 3)
t JRSR
t JCD
x
M5297 drw 01
t JRST
NOTES:
1. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS and TRST .
2. Device outputs = All device outputs except TDO.
3. During power up, TRST could be driven low or not be used since the JTAG circuit resets automatically. TRST is an optional JTAG reset.
JTAG AC Electrical
Characteristics (1,2,3,4)
Symbol
t JCYC
Parameter
JTAG Clock Input Period
Min.
100
Max.
____
Units
ns
Scan Register Sizes
t JCH
t JCL
t JR
t JF
t JRST
t J RSR
JTAG Clock HIGH
JTAG Clock Low
JTAG Clock Rise Time
JTAG Clock Fall Time
JTAG Reset
JTAG Reset Recovery
40
40
____
____
50
50
____
____
5 (1)
5 (1)
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Register Name
Instruction (IR)
Bypass (BYR)
JTAG Identification (JIDR)
Boundary Scan (BSR)
NOTE:
Bit Size
4
1
32
Note (1)
I5297 tbl 03
t JCD
t JDC
t JS
t JH
JTAG Data Output
JTAG Data Output Hold
JTAG Setup
JTAG Hold
____
0
25
25
20
____
____
____
ns
ns
ns
ns
1. The Boundary Scan Descriptive Language (BSDL) file for this device is available
by contacting your local IDT sales representative.
I5297 tbl 01
NOTES:
1. Guaranteed by design.
2. AC Test Load (Fig. 1) on external output signals.
3. Refer to AC Test Conditions stated earlier in this document.
4. JTAG operations occur at one speed (10MHz). The base device may run at any speed specified in this datasheet.
18
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3557S85PFG | IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP |
| IDT71V3557S80PFG | IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP |
| IDT71V3557S75PFG | IC SRAM 4MBIT 75NS 100TQFP |
| ACB66DHAT-S621 | EDGECARD 132POS DIP R/A .050 SLD |
| GEC60DTEI | CONN EDGECARD 120POS .100 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V25761S183PFG8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 183MHZ 100TQFP |
| IDT71V25761S183PFGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 183MHZ 100TQFP |
| IDT71V25761S183PFGI8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 183MHZ 100TQFP |
| IDT71V25761S183PFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V25761S183PFI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。