参数资料
型号: IDT71V321S55TF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 1/15页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 16KBIT 55NS 64STQFP
标准包装: 40
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 16K (2K x 8)
速度: 55ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 64-LQFP
供应商设备封装: 64-TQFP(10x10)
包装: 托盘
其它名称: 71V321S55TF
Features
HIGH SPEED 3.3V
2K X 8 DUAL-PORT
STATIC RAM WITH
INTERRUPTS
IDT71V321S/L
IDT71V421S/L
High-speed access
– Commercial: 25/35/55ns (max.)
– Industrial: 25ns (max.)
Low-power operation
– IDT71V321/IDT71V421S
— Active: 325mW (typ.)
— Standby: 5mW (typ.)
– IDT71V321/V421L
— Active: 325mW (typ.)
— Standby: 1mW (typ.)
Two INT flags for port-to-port communications
MASTER IDT71V321 easily expands data bus width to 16-
On-chip port arbitration logic (IDT71V321 only)
BUSY output flag on IDT71V321; BUSY input on IDT71V421
Fully asynchronous operation from either port
Battery backup operation—2V data retention (L only)
TTL-compatible, single 3.3V power supply
Available in 52-pin PLCC, 64-pin TQFP and STQFP
packages
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Green parts available, see ordering information
or-more-bits using SLAVE IDT71V421
Functional Block Diagram
OE L
CE L
R/ W L
I/O 0L - I/O 7L
I/O
Control
I/O
Control
OE R
CE R
R/ W R
I/O 0R -I/O 7R
BUSY R
BUSY L
(1,2)
(1,2)
A 10L
A 0L
Address
Decoder
MEMORY
ARRAY
Address
Decoder
A 10R
A 0R
11
11
INT L
INT R
NOTES:
(2)
CE L
OE L
R/ W L
ARBITRATION
and
INTERRUPT
LOGIC
CE R
OE R
R/ W R
3026 drw 01
(2)
1. IDT71V321 (MASTER): BUSY is an output. IDT71V421 (SLAVE): BUSY is input.
2. BUSY and INT are totem-pole outputs.
JANUARY 2010
1
?2010 Integrated Device Technology, Inc.
DSC-3026/11
相关PDF资料
PDF描述
IDT71321SA55TF IC SRAM 16KBIT 55NS 64STQFP
XC6SLX75T-4CSG484C IC FPGA SPARTAN 6 74K 484CSGBGA
XC6SLX45T-4FGG484C IC FPGA SPARTAN 6 43K 484FGGBGA
ACC65DRAH CONN EDGECARD 130PS .100 R/A DIP
1-1734592-3 CONN FPC 13POS .5MM RT ANG SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT71V321S55TF8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 64STQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)
IDT71V3556S100BG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V3556S100BG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V3556S100BGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V3556S100BGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI