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参数资料
| 型号： | IDT71V321S55TF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 14/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 55NS 64STQFP |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（10x10） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V321S55TF |
IDT71V321/71V421S/L
High Speed 3.3V 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
Ordering Information
Industrial and Commercial Temperature Ranges
XXXX
A 999 A
A
A
Device Type Power Speed Package
Process/
Temperature
Range
G
Blank
I (1)
(2)
Commercial (0 ° C to +70 ° C)
Industrial (-40 ° C to +85 ° C)
Green
J
PF
TF
25
35
55
L
S
52-pin PLCC (J52-1)
64-pin TQFP (PN64-1)
64-pin STQFP (PP64-1)
Commercial & Industrial
Commercial & Industrial
Commercial & Industrial
Low Power
Standard Power
Speed in nanoseconds
,
71V321 16K (2K x 8-Bit) MASTER 3.3V
Dual-Port RAM w/ Interrupt
71V421 16K (2K x 8-Bit) SLAVE 3.3V
Dual-Port RAM w/ Interrupt
NOTES:
1. Contact your sales office Industrial temperature range is available for selected speeds, packages and powers.
2. Green parts available. For specific speeds, packages and powers contact your local sales office.
Datasheet Document History
3026 drw 17
03/24/99:
06/15/99:
Page 2
Initiated datasheet document history
Converted to new format
Cosmetic and typographical corrections
Added additional notes to pin configurations
Changed drawing format
10/15/99:
10/21/99:
11/12/99:
01/12/01:
08/22/01:
01/17/06:
Page 12
Page 13
Pages 1 & 2
Page 3
Page 4
Pages 4, 5, 7,
9 & 11
Page 1
Page 14
Page 1 & 14
Changed open drain to totem-pole in Table III, note 1
Deleted 'does not' in copy from Busy Logic
Replaced IDT logo
Moved full "Description" to page 2 and adjusted page layouts
Increased storage temperature parameters
Clarified T A parameter
DC Electrical parameters–changed wording from "open" to "disabled"
Changed ±200mV to 0mV in notes
Industrial temp range offering removed from DC & AC Electrical Characteristics for 35 and 55ns
Added green availability to features
Added green indicator to ordering information
Replaced old IDT TM with new IDT TM logo
Datasheet document history continued on page 15
14
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71321SA55TF | IC SRAM 16KBIT 55NS 64STQFP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V321S55TF8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 64STQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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| IDT71V3556S100BGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V3556S100BGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
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