- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4156 > IDT71V3556SA100BGI8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V3556SA100BGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 100MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V3556SA100BGI8 |
第1页第2页第3页当前第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页
IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT ? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs
Functional Block Diagram
Recommended DC Operating
Conditions
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Symbol
V DD
V DDQ
V SS
V IH
Parameter
Core Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Supply Voltage
Input High Voltage - Inputs
Min.
3.135
3.135
0
2.0
Typ.
3.3
3.3
0
____
Max.
3.465
3.465
0
V DD +0.3
Unit
V
V
V
V
V IH
Input High Voltage - I/O
2.0
____
V DDQ +0.3
(2)
V
V IL
Input Low Voltage
-0.3
(1)
____
0.8
V
NOTES:
5281 tbl 04
1. V IL (min.) = –1.0V for pulse width less than t CYC /2, once per cycle.
2. V IH (max.) = +6.0V for pulse width less than t CYC /2, once per cycle.
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3558SA200BQGI8 | IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 1-487545-0 | CONN RECEPT 13POS .050 W/LATCH |
| XC4013E-4PG223I | IC FPGA I-TEMP 5V 4SPD 223-CPGA |
| XC4013E-4PG223C | IC FPGA C-TEMP 5V 4SPD 223-CPGA |
| XC4013E-4HQ240I | IC FPGA I-TEMP 5V 4SPD 240-HQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V3556SA100BQ | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V3556SA100BQ8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V3556SA100BQG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V3556SA100BQG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V3556SA100BQGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。