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参数资料
| 型号： | IDT71V3577S80PFG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 22/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 80ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V3577S80PFG8 |
IDT71V3577S_79S, IDT71V3577SA_79SA, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Datasheet Document History
01/30/04
Released Y generation die step datasheet
04/17/06
04/02/12
Pg. 21
Pg. 9
Pg. 21
Added green (Restricted hazardous substance device) to the datasheet.
Added Industrial temp range values to the 7.5ns speed in the DC chars table
Removed die step indicator from the ordering information.
Added tape and reel and green to the ordering information.
Removed IDT from the ordering information.
Pg. 1, 12 & 21 Added 6.5ns speed only available in TQFP package and in commercial temp range.
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The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| IDT71V3577S80PFGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V3577S80PFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3577S80PFI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
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