参数资料
型号: IDT71V3577S80PFG8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 7/22页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步
存储容量: 4.5M(128K x 36)
速度: 80ns
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 71V3577S80PFG8
IDT71V3577S_79S, IDT71V3577SA_79SA, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration – 128K x 36, 119 BGA
1
2
3
4
5
6
7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
V DDQ
NC
NC
I/O 16
I/O 17
V DDQ
I/O 20
I/O 22
V DDQ
I/O 24
I/O 25
V DDQ
I/O 29
I/O 31
NC
NC
A 6
CS 0
A 7
I/O P3
I/O 18
I/O 19
I/O 21
I/O 23
V DD
I/O 26
I/O 27
I/O 28
I/O 30
I/O P4
A 5
NC
A 4
A 3
A 2
V SS
V SS
V SS
BW 3
V SS
NC
V SS
BW 4
V SS
V SS
V SS
LBO
A 10
ADSP
ADSC
V DD
NC
CE
OE
ADV
GW
V DD
CLK
NC
BWE
A 1
A 0
V DD
A 11
A 8
A 9
A 12
V SS
V SS
V SS
BW 2
V SS
NC
V SS
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
A 14
A 16
CS 1
A 15
I/O P2
I/O 13
I/O 12
I/O 11
I/O 9
V DD
I/O 6
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O P1
A 13
NC
V DDQ
NC
NC
I/O 15
I/O 14
V DDQ
I/O 10
I/O 8
V DDQ
I/O 7
I/O 5
V DDQ
I/O 1
I/O 0
NC
ZZ (3)
U
V DDQ
NC/TMS (2) NC/TDI (2) NC/TCK (2)
NC/TDO (2) NC/TRST (2,4) V DDQ
Top View
Pin Configuration – 256K x 18, 119 BGA
6450 drw 02c
1
2
3
4
5
6
7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
V DDQ
NC
NC
I/O 8
NC
V DDQ
NC
I/O 11
V DDQ
NC
I/O 13
V DDQ
I/O 15
NC
NC
NC
A 6
CS 0
A 7
NC
I/O 9
NC
I/O 10
NC
V DD
I/O 12
NC
I/O 14
NC
I/O P2
A 5
A 10
A 4
A 3
A 2
V SS
V SS
V SS
BW 2
V SS
NC
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
LBO
A 15
ADSP
ADSC
V DD
NC
CE
OE
ADV
GW
V DD
CLK
NC
BWE
A 1
A 0
V DD
NC
A 8
A 9
A 13
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
V SS
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
A 14
A 16
CS 1
A 17
I/O P1
NC
I/O 6
NC
I/O 4
V DD
NC
I/O 2
NC
I/O 1
NC
A 12
A 11
V DDQ
NC
NC
NC
I/O 7
V DDQ
I/O 5
NC
V DDQ
I/O 3
NC
V DDQ
NC
I/O 0
NC
ZZ (3)
NOTES:
U
V DDQ
NC/TMS (2) NC/TDI (2) NC/TCK (2) NC/TDO (2) NC/TRST (2,4) V DDQ
6450 drw 02d
Top View
,
1. R5 does not have to be directly connected to V SS as long as the input voltage is < V IL .
2. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version. Note: If NC, these pins can either be tied to V SS , V DD or left floating.
3. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
4. TRST is offered as an optional JTAG Reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V DD .
7
6.42
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IDT71V3577S85BG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)