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参数资料
| 型号： | IDT71V3577S80PFG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 80ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V3577S80PFG8 |
IDT71V3577S_79S, IDT71V3577SA_79SA, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 5%)
Symbol
|I LI |
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
ZZ , LBO and JTAG Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V OUT = 0V to V DDQ , Device Deselected
I OL = +8mA, V DD = Min.
I OH = -8mA, V DD = Min.
Min.
___
___
___
___
2.4
Max.
5
30
5
0.4
___
Unit
μA
μA
μA
V
V
6450 tbl 08
NOTE:
1. The LBO , TMS, TDI, TCK and TRST pins will be internally pulled to V DD and the ZZ in will be internally pulled to V SS if they are not actively driven in the application.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1)
6.5ns
7.5ns
8ns
8.5ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Com'l Only
Com'l
Ind
Com'l
Ind
Com'l
Ind
Unit
I DD
Operating Power Supply Current
Device Selected, Outputs Open, V DD = Max.,
V DDQ = Max., V IN > V IH or < V IL , f = f MAX (2)
300
255
265
200
210
180
190
mA
I SB1
CMOS Standby Power
Device Deselected, Outputs Open, V DD = Max.,
Supply Current
V DDQ = Max., V IN > V HD or < V LD , f = 0 (2,3)
30
30
35
30
35
30
35
mA
I SB2
Clock Running Power
Device Deselected, Outputs Open, V DD = Max.,
Supply Current
V DDQ = Max., V IN > V HD or < V LD , f = f MAX (2,.3)
110
90
100
85
95
80
90
mA
I ZZ
Full Sleep Mode Supply Current
ZZ > V HD, V DD = Max.
30
30
35
30
35
30
35
mA
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. At f = f MAX, inputs are cycling at the maximum frequency of read cycles of 1/t CYC while ADSC = LOW; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V HD = V DDQ - 0.2V, V LD = 0.2V. For other inputs V HD = V DD - 0.2V, V LD = 0.2V.
6450 tbl 09a
AC Test Conditions
(V DDQ = 3.3V)
Input Pulse Levels
0 to 3V
AC Test Load
V DDQ /2
50 ?
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Timing Reference Levels
AC Test Load
2ns
1.5V
1.5V
See Figure 1
6450 tbl 10
6
5
I/O
Z 0 = 50 ?
Figure 1. AC Test Load
6450 drw 03
,
? tCD
4
3
(Typical, ns)
2
1
20 30 50
80 100
Capacitance (pF)
200
,
6450 drw 05
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
9
6.42
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