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参数资料
| 型号： | IDT71V424S12YG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 12NS 36SOJ |
| 标准包装： | 500 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 36-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 36-SOJ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V424S12YG8 |
IDT71V424S, IDT71V424L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (512K x 8-bit)
Pin Configuration
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration
A0
A1
A2
A3
A4
CS
1
2
3
4
5
6
36
35
34
33
32
31
NC
A18
A17
A16
A15
OE
NC
NC
A0
A1
A2
A3
1
2
3
4
5
6
44
43
42
41
40
39
NC
NC
NC
A18
A17
A16
I/O 0
I/O 1
V DD
V SS
I/O 2
7
8
9
10
11
SO36-1
30
29
28
27
26
I/O 7
I/O 6
V SS
V DD
I/O 5
A4
CS
I/00
I/01
7
8
9
10
38
37
36
35
A15
OE
I/07
I/06
I/O 3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
12
13
14
15
16
17
18
25
24
23
22
21
20
19
I/O 4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
V DD
V SS
I/02
I/03
WE
A5
11
12
13
14
15
16
SO44-2
34
33
32
31
30
29
V SS
V DD
I/05
I/04
A14
A13
A6
17
28
A12
SOJ
Top View
3622 drw 02
A7
A8
A9
NC
NC
18
19
20
21
22
27
26
25
24
23
A11
A10
NC
NC
NC
TSOP
Top View
3622 drw 11
Pin Description
Capacitance
A 0 – A 18
Address Inputs
Input
(T A = +25°C, f = 1.0MHz, SOJ package)
CS
WE
OE
Chip Select
Write Enable
Output Enable
Input
Input
Input
Symbol
C IN
C I/O
Parameter (1)
Input Capacitance
I/O Capacitance
Conditions
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
7
8
Unit
pF
pF
I/O 0 - I/O 7
Data Input/Output
I/O
NOTE:
3622 tbl 03
V DD
V SS
3.3V Power
Ground
Power
Gnd
3622 tbl 02
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production
tested.
Truth Table (1,2)
CS
L
L
L
H
OE
L
X
H
X
WE
H
L
H
X
I/O
DATA OUT
DATA IN
High-Z
High-Z
Function
Read Data
Write Data
Output Disabled
Deselected - Standby (I SB )
V HC
(3)
X
X
High-Z
Deselected - Standby (I SB1 )
NOTES:
1. H = V IH , L = V IL , x = Don't care.
2. V LC = 0.2V, V HC = V DD -0.2V.
3. Other inputs ≥ V HC or ≤ V LC .
6.42
3622 tbl 01
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