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参数资料
| 型号： | IDT71V424S12YG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 12NS 36SOJ |
| 标准包装： | 500 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 36-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 36-SOJ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V424S12YG8 |
IDT71V424S, IDT71V424L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (512K x 8-bit)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Value
Unit
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
V DD
V IN , V OUT
Supply Voltage Relative to
V SS
Terminal Voltage Relative
to V SS
-0.5 to +4.6
-0.5 to V DD +0.5
V
V
Grade
Commercial
Industrial
Temperature
0°C to +70°C
–40°C to +85°C
V SS
0V
0V
V DD
See Below
See Below
3622 tbl 05
C
C
T BIAS
T STG
P T
Temperature Under Bias
Storage Temperature
Power Dissipation
-55 to +125
-55 to +125
1
o
o
W
Recommended DC Operating
Conditions
I OUT
DC Output Current
50
mA
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
-0.3
V DD +0.3
3622 tbl 04
NOTE:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
V DD
V SS
V IH
V IL
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
Input Low Voltage
3.0
0
2.0
(2)
3.3
0
____
____
3.6
0
0.8
(1)
V
V
V
V
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
NOTES:
3622 tbl 06
1. V IH (max.) = V DD +2V for pulse width less than 5ns, once per cycle.
2. V IL (min.) = –2V for pulse width less than 5ns, once per cycle.
DC Electrical Characteristics
(V DD = Min. to Max., Commercial and Industrial Temperature Ranges)
IDT71V424
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Max. Unit
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
V DD = Max., V IN = V SS to V DD
V DD = Max., CS = V IH , V OUT = V SS to V DD
I OL = 8mA, V DD = Min.
I OH = -4mA, V DD = Min.
___
___
___
2.4
5
5
0.4
___
μA
μA
V
V
3622 tbl 07
DC Electrical Characteristics (1, 2, 3)
(V DD = Min. to Max., V LC = 0.2V, V HC = V DD – 0.2V)
Symbol
Parameter
71V424S/L 10
Com'l. Ind.
71V424S/L 12
Com'l. Ind.
71V424S/L 15
Com'l. Ind.
Unit
I CC
I SB
I SB1
Dynamic Operating Current
CS < V LC , Outputs Open, V DD = Max., f = f MAX (4)
Dynamic Standby Power Supply Current
CS > V HC , Outputs Open, V DD = Max., f = f MAX (4)
Full Standby Power Supply Current (static)
CS > V HC , Outputs Open, V DD = Max., f = 0 (4)
S
L
S
L
S
L
180
165
60
55
20
10
180
165
60
55
20
10
170
155
55
50
20
10
170
155
55
50
20
10
160
145
50
45
20
10
160
145
50
45
20
10
mA
mA
mA
mA
mA
mA
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. All inputs switch between 0.2V (Low) and V DD - 0.2V (High).
3. Power specifications are preliminary.
4. f MAX = 1/t RC (all address inputs are cycling at f MAX ); f = 0 means no address input lines are changing.
3
6.42
3622 tbl 08
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