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参数资料
| 型号： | IDT71V546XS100PFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 100MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 100MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
IDT71V546, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with
ZBT ? Feature, Burst Counter and Pipelined Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Symbol
Rating
Absolute Maximum Ratings (1)
Commercial &
Industrial Values
Unit
Recommended DC Operating
Conditions
Symbol Parameter Min. Typ. Max.
Unit
V DD
V TERM (2)
V TERM (3)
Terminal Voltage
with Respect to GND
Terminal Voltage
-0.5 to +4.6
-0.5 to V DD +0.5
V
V
(3)
V SS
Supply Voltage
Ground
3.135
0
3.3
0
3.465
0
V
V
with Respect to GND
V IH
Input High Voltage - Inputs
2.0
____
4.6
V
V DD +0.3
-0.5
T A (4)
Commercial
Operating Ambient
Temperature
0 to +70
o
C
V IH
V IL
Input High Voltage - I/O
Input Low Voltage
2.0
(1)
____
____
0.8
(2)
V
V
Industrial
Operating Ambient
Temperature
-40 to +85
o
C
NOTES:
1. V IL (min.) = –1.0V for pulse width less than t CYC/2 , once per cycle.
2. V IH (max.) = +6.0V for pulse width less than t CYC/2 , once per cycle.
3821 tbl 04
T BIAS
T STG
Temperature Under Bias
Storage Temperature
-55 to +125
-55 to +125
o
o
C
C
3. V DD needs to be ramped up smoothly to the operating level. If there are any
glitches on V DD that cause the voltage level to drop below 2.0 volts then the
device needs to be reset by holding V DD to 0.0 volts for a minimum of 100 ms.
P T
Power Dissipation
2.0
W
NOTES:
I OUT DC Output Current 50 mA
3821 tbl 05
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only
and functional operation of the device at these or any other conditions above
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
Ambient
Grade Temperature (1) V SS V DD
0 C to +70 C
those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may
affect reliability.
2. V DD and Input terminals only.
Commercial
Industrial
O O
-40 O C to +85 O C
0V
0V
3.3V±5%
3.3V±5%
3. I/O terminals.
4. During production testing, the case temperature equals the ambient temperature.
100 TQFP Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz, TQFP package)
3821 tbl 03
NOTES:
1. During production testing, the case temperature equals the ambient temperature.
Symbol
C IN
C I/O
Parameter (1)
Input Capacitance
I/O Capacitance
Conditions
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
5
7
Unit
pF
pF
3821 tbl 06
NOTE:
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.
5
6.42
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PDF描述 |
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| IDT71V3578YS133PFG | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP |
| IDT71V546S133PFG | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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