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参数资料
| 型号： | IDT71V546XS100PFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 100MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 100MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
IDT71V546, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with
ZBT ? Feature, Burst Counter and Pipelined Outputs
Device Operation - Showing Mixed Load,
Burst, Deselect and NOOP Cycles (2)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Cycle
n
n+1
n+2
n+3
n+4
n+5
n+6
n+7
n+8
n+9
n+10
n+11
n+12
n+13
n+14
n+15
n+16
n+17
n+18
n+19
Address
A0
X
A1
X
X
A2
X
X
A3
X
A4
X
X
A5
A6
A7
X
A8
X
A9
R/ W
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X
X
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X
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ADV/ LD
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CE (1)
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CEN
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BW x
X
X
X
X
X
X
X
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X
X
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X
L
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X
X
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OE
X
X
L
L
L
X
X
L
L
X
X
X
X
X
X
X
L
X
X
L
I/O
X
X
Q0
Q 0+1
Q1
Z
Z
Q2
Q 2+1
Z
D3
D 3+1
D4
Z
Z
D5
Q6
D7
D 7+1
Q8
Comments
Load read
Burst read
Load read
Deselect or STOP
NOOP
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Deselect or STOP
Load write
Burst write
Load write
Deselect or STOP
NOOP
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3821 tbl 11
NOTES:
1. CE = L is defined as CE 1 = L, CE 2 = L and CE 2 = H. CE = H is defined as CE 1 = H, CE 2 = H or CE 2 = L.
2. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
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