- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4160 > IDT71V547S100PFGI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 100NS 100TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V547S100PFGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 100NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V547S100PFGI |
IDT71V547, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with
ZBT ? Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating Temperature and
Supply Voltage Range (V DD = 3.3V +/-5%)
LBO Input Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
(1)
Test Conditions
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
CE > V IH or OE > V IH , V OUT = 0V toV DD , V DD = Max.
I OL = 5mA, V DD = Min.
I OH = -5mA, V DD = Min.
Min.
___
___
___
___
2.4
Max.
5
30
5
0.4
___
Unit
μA
μA
μA
V
V
NOTE:
1. The LBO pin will be internally pulled to V DD if it is not actively driven in the application.
DC Electrical Characteristics Over the Operating Temperature
and Supply Voltage Range (1) (V DD = 3.3V +/-5%, V HD = V DD –0.2V, V LD = 0.2V)
3822 tbl 20
S80
S85
S90
S100
Symbol
I DD
Parameter
Operating Power
Supply Current
Test Conditions
Device Selected, Outputs Open, ADV/ LD = X,
V DD = Max., V IN > V IH or < V IL , f = f MAX (2)
Com'l
250
Ind
260
Com'l
225
Ind
235
Com'l
225
Ind
235
Com'l
200
Ind
210
Unit
mA
I SB1
CMOS Standby Power Device Deselected, Outputs Open,
Supply Current V DD = Max., V IN > V HD or < V LD , f = 0 (2)
40
45
40
45
40
45
40
45
mA
I SB2
I SB3
Clock Running Power
Supply Current
Idle Power
Supply Current
Device Deselected, Outputs Open,
V DD = Max., V IN > V HD or < V LD , f = f MAX (2)
Device Selected, Outputs Open, CEN > V IH
V DD = Max., V IN > V HD or < V LD , f = f MAX (2)
100
40
110
45
95
40
105
45
95
40
105
45
90
40
100
45
mA
mA
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. At f = f MAX, inputs are cycling at the maximum frequency of read cycles of 1/t CYC ; f=0 means no input lines are changing.
3822 tbl 21
AC Test Loads
+ 1.5V
AC Test Conditions
50 Ω
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
0 to 3V
2ns
I/O
Z 0 = 50 Ω
3822 drw 04
,
Input Timing Reference Levels
Output Timing Reference Levels
AC Test Load
1.5V
1.5V
See Figure 1
6
5
4
Δ tCD 3
(Typical, ns)
2
1
Figure 1. AC Test Load
3822 tbl 22
20 30 50
80 100
Capacitance (pF)
200
.
3822 drw 05
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
11
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3559S75BQI8 | IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA |
| IDT71V3558SA166BQGI8 | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA |
| IDT71V3558SA133BQGI8 | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 165FBGA |
| 65801-015LF | CONN RCPT 15POS 2.54MM VERT TIN |
| 65801-014LF | CONN RCPT 14POS 2.54MM VERT TIN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V547S100PFGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V547S100PFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V547S100PFI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V547S75PFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V547S75PFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。