- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4100 > IDT71V65603S100BG8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V65603S100BG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 100MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V65603S100BG8 |
IDT71V65603, IDT71V65803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT ? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Interleaved Burst Sequence Table ( LBO =V DD )
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
First Address
Second Address
Third Address
Fourth Address (1)
0
0
1
1
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
1
0
1
1
0
0
0
1
0
1
1
1
0
0
1
0
1
0
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state and continues counting.
Linear Burst Sequence Table ( LBO =V SS )
5304 tbl 10
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
First Address
Second Address
Third Address
Fourth Address (1)
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
0
1
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state and continues counting.
Functional Timing Diagram (1)
5304 tbl 11
CYCLE
n+29
n+30
n+31
n+32
n+33
n+34
n+35
n+36
n+37
CLOCK
CONTROL
DATA
(2)
ADDRESS
(A0 - A17)
(2)
(R/ W , ADV/ LD , BW x)
(2)
I/O [0:31], I/O P[1:4]
A29
C29
D/Q27
A30
C30
D/Q28
A31
C31
D/Q29
A32
C32
D/Q30
A33
C33
D/Q31
A34
C34
D/Q32
A35
C35
D/Q33
A36
C36
D/Q34
A37
C37
D/Q35
NOTES:
1. This assumes CEN , CE 1 , CE 2 , CE 2 are all true.
5304 drw 03
,
2. All Address, Control and Data_In are only required to meet set-up and hold time with respect to the rising edge of clock. Data_Out is valid after a clock-to-data
delay from the rising edge of clock.
10
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4-1734839-7 | CONN FPC 47POS .5MM RT ANG SMD |
| IDT71V321S35TF | IC SRAM 16KBIT 35NS 64STQFP |
| ATF16V8BQL-15JU | IC PLD 15NS 20PLCC |
| ATF16V8BQL-15PU | IC PLD 15NS 20DIP |
| ATF16V8B-15SU | IC PLD EE 15NS 20-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V65603S100BGI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT71V65603S100BGI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V65603S100BQ | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V65603S100BQG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V65603S100BQG8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。