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参数资料
| 型号： | IDT71V65603S100BG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 25/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 100MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V65603S100BG8 |
IDT71V65603, IDT71V65803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT ? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of OE Operation (1)
OE
t OE
DATA OUT
NOTE:
1. A read operation is assumed to be in progress.
Ordering Information
t OHZ
t OLZ
Valid
5304 drw 11
,
XXXX
Z
S
XX
XX
X
X
Device
Type
Power Speed
Package
Process/
Temperature
Range
Blank
I
G
PF
BG
BQ
150
133
Commerical (0° to 70°C)
Industrial (-40° to 85°C)
Restricted Hazardous Substance Device
100 pin Plastic Thin Quad Flatpack, (TQFP)
119 Ball Grid Array (BGA)
165 Fine Pitch Ball Grid Array (fBGA)
Clock Frequency in Megahertz
100
Blank
Z
71V656 03
71V6580 3
First generation or current die step
Current generation die step optional
256Kx36 Pipelined ZBT SRAM
512Kx18 Pipelined ZBT SRAM
5304 drw 12
CORPORATE HEADQUARTERS
6024 Silver Creek Valley Rd
San Jose, CA 95138
for SALES:
800-345-7015 or 408-284-8200
fax: 408-284-2775
www.idt.com
for Tech Support:
sramhelp@idt.com
800-345-7015 or
408/284-4555
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
25
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参数描述 |
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