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参数资料
| 型号： | IDT71V65903S85PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 12/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 85ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V65903S85PFI |
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Read Operation (1)
Cycle
n
n+1
Address
A 0
X
R/ W
H
X
ADV/ LD
L
X
CE 1 (2)
L
X
CEN
L
X
BW x
X
X
OE
X
L
I/O
X
Q 0
Comments
Address and Control meet setup
Contents of Address A 0 Read Out
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2. CE 2 timing transition is identical to CE 1 signal. CE 2 timing transition is identical but inverted to the CE 1 and CE 2 signals.
Burst Read Operation (1)
5298 tbl 13
Cycle
n
n+1
n+2
n+3
n+4
n+5
n+6
n+7
Address
A 0
X
X
X
X
A 1
X
A 2
R/ W
H
X
X
X
X
H
X
H
ADV/ LD
L
H
H
H
H
L
H
L
CE 1 (2)
L
X
X
X
X
L
X
L
CEN
L
L
L
L
L
L
L
L
BW x
X
X
X
X
X
X
X
X
OE
X
L
L
L
L
L
L
L
I/O
X
Q 0
Q 0+1
Q 0+2
Q 0+3
Q 0
Q 1
Q 1+1
Comments
Address and Control meet setup
Address A 0 Read Out, Inc. Count
Address A 0+1 Read Out, Inc. Count
Address A 0+2 Read Out, Inc. Count
Address A 0+3 Read Out, Load A 1
Address A 0 Read Out, Inc. Count
Address A 1 Read Out, Inc. Count
Address A 1+1 Read Out, Load A 2
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2. CE 2 timing transition is identical to CE 1 signal. CE 2 timing transition is identical but inverted to the CE 1 and CE 2 signals.
Write Operation (1)
5298 tbl 14
Cycle
n
n+1
Address
A 0
X
R/ W
L
X
ADV/ LD
L
X
CE 1 (2)
L
X
CEN
L
L
BW x
L
X
OE
X
X
I/O
X
D 0
Comments
Address and Control meet setup
Write to Address A 0
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2. CE 2 timing transition is identical to CE 1 signal. CE 2 timing transition is identical but inverted to the CE 1 and CE 2 signals.
Burst Write Operation (1)
5298 tbl 15
Cycle
n
n+1
n+2
n+3
n+4
n+5
n+6
n+7
Address
A 0
X
X
X
X
A 1
X
A 2
R/ W
L
X
X
X
X
L
X
L
ADV/ LD
L
H
H
H
H
L
H
L
CE 1 (2)
L
X
X
X
X
L
X
L
CEN
L
L
L
L
L
L
L
L
BW x
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
X
X
X
X
X
X
X
I/O
X
D 0
D 0+1
D 0+2
D 0+3
D 0
D 1
D 1+1
Comments
Address and Control meet setup
Address A 0 Write, Inc. Count
Address A 0+1 Write, Inc. Count
Address A 0+2 Write, Inc. Count
Address A 0+3 Write, Load A 1
Address A 0 Write, Inc. Count
Address A 1 Write, Inc. Count
Address A 1+1 Write, Load A 2
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2. CE 2 timing transition is identical to CE 1 signal. CE 2 timing transition is identical but inverted to the CE 1 and CE 2 signals.
12
6.42
5298 tbl 16
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参数描述 |
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| IDT71V67602S133BGG8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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