参数资料
型号: IDT71V65903S85PFI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 4/26页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP
标准包装: 72
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步 ZBT
存储容量: 9M(512K x 18)
速度: 85ns
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 71V65903S85PFI
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Functional Block Diagram ? 512K x 18
LBO
512K x 18 BIT
Address A [0:18]
D
Q
MEMORY ARRAY
Address
CE 1 , CE 2 CE 2
R/ W
D
Q
Control
CEN
ADV/ LD
BW x
DI
DO
D
Clk
Q
Control Logic
Clock
OE
Gate
Mux
Sel
Recommended DC Operating
Conditions
Data I/O [0:15], I/O P[1:2]
5298 drw 01a
,
-0.3
Symbol
V DD
V DDQ
V SS
V IH
V IH
V IL
Parameter
Core Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Ground
Input High Voltage - Inputs
Input High Voltage - I/O
Input Low Voltage
Min.
3.135
3.135
0
2.0
2.0
(1)
Typ.
3.3
3.3
0
____
____
____
Max.
3.465
3.465
0
V DD + 0.3
V DDQ + 0.3
0.8
Unit
V
V
V
V
V
V
5298 tbl 04
NOTE:
1. V IL (min.) = –1.0V for pulse width less than t CYC /2, once per cycle.
6.42
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IDT71V65903S85PF8 IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP
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参数描述
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