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参数资料
| 型号： | IDT72V3613L20PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 22/25页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FIFO CLOCK 64X36 20NS 120TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 系列： | 72V |
| 功能： | 同步 |
| 存储容量： | 2.3K（64 x 36） |
| 数据速率： | 50MHz |
| 访问时间： | 20ns |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 120-LQFP |
| 供应商设备封装： | 120-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 72V3613L20PF |
6
IDT72V3613 3.3V, CMOS CLOCKED FIFO WITH
BUS-MATCHING AND BYTE SWAPPING 64 x 36
COMMERCIALTEMPERATURERANGE
Figure 1. Typical Characteristics: Supply Current (ICC) vs Clock Frequency (fS)
DETERMINING ACTIVE CURRENT CONSUMPTION AND POWER DISSIPATION
The ICC(f) current for the graph in Figure 1 was taken while simultaneously reading and writing the FIFO on the IDT72V3613 with CLKA and CLKB set
tofS.Alldateinputsanddataoutputschangestateduringeachclockcycletoconsumethehighestsupplycurrent.Dataoutputsweredisconnectedtonormalize
the graph to a zero-capacitance load. Once the capacitive lead per data-output channel is known, the power dissipation can be calculated with the equation
below.
CALCULATING POWER DISSIPATION
With ICC(f) taken from Figure 1, the maximum power dissipation (PT) of the IDT72V3613 may be calculated by:
PT = VCC x ICC(f) +
Σ(CL x (VOH - VOL)2 x fo)
N
where:
N
=
number of used outputs (36-bit (long word), 18-bit (word) or 9-bit (byte) bus-size)
CL
=
outputcapacitanceload
fo
=
switchingfrequencyofanoutput
VOH
=
outputhigh-levelvoltage
VOL
=
outputhigh-levelvoltage
WhennoreadsorwritesareoccurringontheIDT72V3613,thepowerdissipatedbyasingleclock(CLKAorCLKB)inputrunningatfrequencyfSiscalculated
by:
PT = VCC x fS x 0.025mA/MHz
010
20
30
40
50
60
70
0
25
50
75
100
125
150
VCC = 3.3V
fS
Clock Frequency MHz
ICC(f)
Supply
Current
mA
fdata = 1/2 fS
TA = 25
°C
CL = 0 pF
VCC = 3.0V
4661 drw 04
VCC = 3.6V
80
90
175
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PDF描述 |
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参数描述 |
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