- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384481 > IGB01N120H2 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) HighSpeed 2-Technology PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IGB01N120H2 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | HighSpeed 2-Technology |
| 中文描述： | 高速2 -技术 |
| 文件页数： | 10/13页 |
| 文件大小： | 390K |
| 代理商： | IGB01N120H2 |
IGP01N120H2,
IGD01N120H2
IGB01N120H2
Power Semiconductors
10
Rev. 2, Mar-04
dimensions
symbol
[mm]
[inch]
min
max
min
max
A
9.70
10.30
0.3819
0.4055
B
14.88
15.95
0.5858
0.6280
C
0.65
0.86
0.0256
0.0339
D
3.55
3.89
0.1398
0.1531
E
2.60
3.00
0.1024
0.1181
F
6.00
6.80
0.2362
0.2677
G
13.00
14.00
0.5118
0.5512
H
4.35
4.75
0.1713
0.1870
K
0.38
0.65
0.0150
0.0256
L
0.95
1.32
0.0374
0.0520
M
2.54 typ.
0.1 typ.
N
4.30
4.50
0.1693
0.1772
P
1.17
1.40
0.0461
0.0551
T
2.30
2.72
0.0906
0.1071
TO-220AB
dimensions
symbol
[mm]
[inch]
min
max
min
max
A
9.80
10.20
0.3858
0.4016
B
0.70
1.30
0.0276
0.0512
C
1.00
1.60
0.0394
0.0630
D
1.03
1.07
0.0406
0.0421
E
2.54 typ.
0.1 typ.
F
0.65
0.85
0.0256
0.0335
G
5.08 typ.
0.2 typ.
H
4.30
4.50
0.1693
0.1772
K
1.17
1.37
0.0461
0.0539
L
9.05
9.45
0.3563
0.3720
M
2.30
2.50
0.0906
0.0984
N
15 typ.
0.5906 typ.
P
0.00
0.20
0.0000
0.0079
Q
4.20
5.20
0.1654
0.2047
R
8° max
8° max
S
2.40
3.00
0.0945
0.1181
T
0.40
0.60
0.0157
0.0236
U
10.80
0.4252
V
1.15
0.0453
W
6.23
0.2453
X
4.60
0.1811
Y
9.40
0.3701
TO-263AB (D
2
Pak)
Z
16.15
0.6358
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IGD01N120H2 | HighSpeed 2-Technology |
| IGP01N120H2 | HighSpeed 2-Technology |
| IGB15N60T | Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology |
| IGB50N60T | LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY |
| IGP50N60T | LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IGB01N120H2_07 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HighSpeed 2-Technology |
| IGB01N120H2ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 1A 28W TO263-3-2 |
| IGB03F120 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| IGB03N120H2 | 功能描述:IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IGB03N120H2ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 9.6A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。