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参数资料
| 型号： | IGW50N60T |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY |
| 中文描述： | 低损耗IGBT的在战壕和场终止技术 |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 402K |
| 代理商： | IGW50N60T |
IGP50N60T, IGB50N60T
TrenchStop Series
IGW50N60T
Power Semiconductors
11
Rev. 2.2 Dec-04
dimensions
symbol
[mm]
[inch]
min
max
min
max
A
4.78
5.28
0.1882
0.2079
B
2.29
2.51
0.0902
0.0988
C
1.78
2.29
0.0701
0.0902
D
1.09
1.32
0.0429
0.0520
E
1.73
2.06
0.0681
0.0811
F
2.67
3.18
0.1051
0.1252
G
0.76 max
0.0299 max
H
20.80
21.16
0.8189
0.8331
K
15.65
16.15
0.6161
0.6358
L
5.21
5.72
0.2051
0.2252
M
19.81
20.68
0.7799
0.8142
N
3.560
4.930
0.1402
0.1941
P
3.61
0.1421
Q
6.12
6.22
0.2409
0.2449
TO-247AC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IGW50N65H5 | 功能描述:IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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