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参数资料
| 型号： | IGW50N60T |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY |
| 中文描述： | 低损耗IGBT的在战壕和场终止技术 |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 402K |
| 代理商： | IGW50N60T |
IGP50N60T, IGB50N60T
TrenchStop Series
IGW50N60T
Power Semiconductors
12
Rev. 2.2 Dec-04
Figure A. Definition of switching times
Figure B. Definition of switching losses
I
r r m
90%
I
r r m
10%
I
r r m
di /dt
t
r r
I
F
i,v
t
Q
S
Q
F
t
S
t
F
V
R
di
/dt
r r
Q =Q
Q
S
F
+
t =t
t
S
F
+
Figure C. Definition of diodes
switching characteristics
p(t)
1
2
n
T (t)
τ
1
r
1
τ
2
r
2
n
n
τ
r
T
C
r
r
r
Figure D. Thermal equivalent
circuit
Figure E. Dynamic test circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IGW15T120 | Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop Technology |
| IGW25T120 | Aluminum Electrolytic Radial Leaded General Purpose Capacitor; Capacitance: 47uF; Voltage: 100V; Case Size: 10x12.5 mm; Packaging: Bulk |
| IH401A | QUAD Varafet Analog Switch |
| IH4815 | DC/DC Converters |
| IH2403 | DC/DC Converters |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IGW50N60TXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
| IGW50N65F5 | 功能描述:IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IGW50N65F5FKSA1 | 功能描述:IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IGW50N65H5 | 功能描述:IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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