- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384481 > IGW50N60T (INFINEON TECHNOLOGIES AG) LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IGW50N60T |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY |
| 中文描述： | 低损耗IGBT的在战壕和场终止技术 |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 402K |
| 代理商： | IGW50N60T |
IGP50N60T, IGB50N60T
TrenchStop Series
IGW50N60T
Power Semiconductors
9
Rev. 2.2 Dec-04
Z
t
,
T
1μs
10μs 100μs
1ms
10ms 100ms
10
-2
K/W
10
-1
K/W
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D
=0.5
t
P
,
PULSE WIDTH
Figure 21. IGBT transient thermal resistance
(
D = t
p
/
T
)
R
,(K/W )
0.18355
0.12996
0.09205
0.03736
0.00703
R
1
τ
,
(s)
7.425*10
-2
8.34*10
-3
7.235*10
-4
1.035*10
-4
4.45*10
-5
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IGW15T120 | Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop Technology |
| IGW25T120 | Aluminum Electrolytic Radial Leaded General Purpose Capacitor; Capacitance: 47uF; Voltage: 100V; Case Size: 10x12.5 mm; Packaging: Bulk |
| IH401A | QUAD Varafet Analog Switch |
| IH4815 | DC/DC Converters |
| IH2403 | DC/DC Converters |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IGW50N60TFKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 100A 333W TO247-3 |
| IGW50N60TXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
| IGW50N65F5 | 功能描述:IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IGW50N65F5FKSA1 | 功能描述:IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IGW50N65H5 | 功能描述:IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。