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参数资料
| 型号： | IM42-67025V-55 |
| 厂商： | ATMEL CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CQCC84 |
| 封装： | LCC-84 |
| 文件页数： | 18/23页 |
| 文件大小： | 257K |
| 代理商： | IM42-67025V-55 |
M 67025
MATRA MHS
Rev. D (29/09/95)
4
Pin Configuration
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
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15
16
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57
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84
67025
F-84-2
84-PIN MQFPF
FLATPACK
TOP VIEW
INDEX
A7L
A6L
A5L
A4L
A3L
A2L
A1L
A0L
INTL
BUSYL
GND
M/S
BUSYR
INTR
A0R
A1R
A2R
A3R
A4R
A5R
A6R
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I/O9L
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I/O11L
I/O12L
I/O13L
GND
I/O14L
I/O15L
Vcc
GND
I/O0R
I/O1R
I/O2R
Vcc
I/O3R
I/O4R
I/O5R
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I/O7R
I/O8R
I/O
GND
I/O
OE
Vcc
R/W
SEM
CE
UB
LB
N/C
A
7L
6L
5L
4L
3L
2L
1L
0L
L
11
L
10L
9L
8L
I/O
GND
I/O
OE
R/W
GND
SEM
CE
UB
LB
N/C
A
9R
10R
11
R
12R
13R
14R
15R
R
10R
9R
8R
7R
A
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R
1
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76
77
78
79
80
81
82
83
84
67025
100-PIN TQFP
TOP VIEW
INDEX
N/C
A5L
A4L
A3L
A2L
A1L
A0L
INTL
BUSYL
GND
M/S
BUSYR
INTR
A0R
A1R
A2R
A3R
A4R
N/C
I/O10L
I/O11L
I/O12L
I/O13L
GND
I/O14L
I/O15L
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GND
I/O0R
I/O1R
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Vcc
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N/C
I/O
GND
I/O
OE
Vcc
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SEM
CE
UB
LB
A
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6L
5L
4L
3L
2L
1L
0L
R
L
11
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10L
9L
8L
I/O
GND
I/O
OE
R/W
GND
SEM
CE
UB
LB
A
7R
8R
9R
10R
11
R
12R
13R
L
R
12R
9R
8R
7R
A
11
R
43 44 45 46 47 48 49 50
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100
I/O
14R
I/O
15R
A
10R
A
6R
5R
I/O
9L
8L
A
12L
A
7L
6L
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7052S20G | 2K X 8 FOUR-PORT SRAM, 20 ns, CPGA108 |
| IS61NVP12836B-200B3 | 128K X 36 ZBT SRAM, 3.1 ns, PBGA165 |
| IDT7202SA120DB | 1K X 9 OTHER FIFO, 120 ns, CDIP28 |
| IDT7202SA25L8 | 1K X 9 OTHER FIFO, 25 ns, CQCC32 |
| IDT7202SA35SO8 | 1K X 9 OTHER FIFO, 35 ns, PDSO28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IM42CGR | 功能描述:高频/射频继电器 IM RELAY 100mW RoHS:否 制造商:Omron Electronics 触点形式:2 Form C (DPDT-BM) 触点电流额定值: 线圈电压:5 VDC 线圈类型:Non-Latching 频率: 功耗:100 mW 端接类型:Solder Terminal 绝缘:20 dB to 30 dB at 1 GHz 介入损耗:0.2 dB at 1 GHz |
| IM42DGR | 功能描述:高频/射频继电器 IM RELAY 100mW RoHS:否 制造商:Omron Electronics 触点形式:2 Form C (DPDT-BM) 触点电流额定值: 线圈电压:5 VDC 线圈类型:Non-Latching 频率: 功耗:100 mW 端接类型:Solder Terminal 绝缘:20 dB to 30 dB at 1 GHz 介入损耗:0.2 dB at 1 GHz |
| IM42GR | 功能描述:高频/射频继电器 DPDT 4.5VDC 1-Coil 1000 RoHS:否 制造商:Omron Electronics 触点形式:2 Form C (DPDT-BM) 触点电流额定值: 线圈电压:5 VDC 线圈类型:Non-Latching 频率: 功耗:100 mW 端接类型:Solder Terminal 绝缘:20 dB to 30 dB at 1 GHz 介入损耗:0.2 dB at 1 GHz |
| IM42JR | 制造商:MA-COM 制造商全称:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:IM Series Signal Relays |
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