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参数资料
| 型号： | IPA60R385CP |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | CoolMOS Power Transistor |
| 中文描述： | 的CoolMOS功率晶体管 |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 272K |
| 代理商： | IPA60R385CP |
IPA60R385CP
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous diode forward current
2)
I
S
A
Diode pulse current
3)
I
S,pulse
27
Reverse diode d
v
/d
t
5)
d
v
/d
t
15
V/ns
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
-
4
K/W
R
thJA
leaded
-
-
80
Soldering temperature,
wavesoldering only allowed at leads
T
sold
1.6 mm (0.063 in.)
from case for 10 s
-
-
260
°C
Electrical characteristics,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 μA
600
-
-
V
Gate threshold voltage
V
GS(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=0.34 mA
2.5
3
3.5
Zero gate voltage drain current
I
DSS
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
-
-
1
μA
-
10
-
Gate-source leakage current
I
GSS
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
-
-
100
nA
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
V
GS
=10 V,
I
D
=5.2 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=5.2 A,
T
j
=150 °C
-
0.35
0.385
-
0.94
-
Gate resistance
R
G
f
=1 MHz, open drain
-
1.8
-
Values
Thermal resistance, junction -
ambient
Value
T
C
=25 °C
5.2
Rev. 1.5
page 2
2006-01-04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB03N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB03N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPP03N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPB03N03LB | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB048N06L | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPA60R385CP_10 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:CoolMos Power Transistor |
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| IPA60R450E6XKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220 |
| IPA60R520C6 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:CoolMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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