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参数资料
| 型号： | IPB04N03LAG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 358K |
| 代理商： | IPB04N03LAG |
IPB04N03LA G
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=55 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
60 μA
600 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
10
4
10
3
10
2
0
10
20
30
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25°C 98%
175°C 98%
10
3
10
2
10
1
10
0
0
0.5
1
1.5
2
V
SD
[V]
I
F
Rev. 1.7
page 6
2006-05-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB04N03LA | Circular Connector; No. of Contacts:10; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Insert Arrangement:12-10 |
| IPB04N03LB | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB050N06L | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB050N06LG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB050N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB04N03LAGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO-263 |
| IPB04N03LAGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| IPB04N03LANT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| IPB04N03LAT | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPB04N03LB | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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