参数资料
型号: IPB05CN10NG
厂商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS㈢2功率晶体管
文件页数: 7/11页
文件大小: 526K
代理商: IPB05CN10NG
IPB05CN10N G IPI05CN10N G
IPP05CN10N G
13 Avalanche characteristics
14 Typ. gate charge
I
AS
=f(
t
AV
);
R
GS
=25
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=100 A pulsed
parameter:
T
j(start)
parameter:
V
DD
15 Drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=1 mA
20 V
50 V
80 V
0
2
4
6
8
10
12
0
50
100
150
Q
gate
[nC]
V
G
90
95
100
105
110
115
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
V
GS
Q
gate
V
gs(th)
Q
g(th)
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
25 °C
100 °C
150 °C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
t
AV
[μs]
I
A
Rev. 1.05
page 7
2006-06-02
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PDF描述
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