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参数资料
| 型号： | IPB77N06S3-09 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| 中文描述： | ㈢的OptiMOS - T的功率晶体管 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 165K |
| 代理商： | IPB77N06S3-09 |
IPB77N06S3-09
IPI77N06S3-09, IPP77N06S3-09
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
2)
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
-
1.4
K/W
Thermal resistance, junction -
ambient, leaded
R
thJA
-
-
62
SMD version, device on PCB
R
thJA
minimal footprint
-
-
62
6 cm
2
cooling area
5)
-
-
40
Electrical characteristics,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 μA
55
-
-
V
Gate threshold voltage
V
GS(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=55 μA
2.1
3
4
Zero gate voltage drain current
I
DSS
V
DS
=25 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
-
0.1
1
μA
V
DS
=25 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
1)
-
1
100
Gate-source leakage current
I
GSS
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
-
1
100
nA
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
V
GS
=10 V,
I
D
=39 A
-
7.7
9.1
m
V
GS
=10 V,
I
D
=39 A,
SMD version
-
7.4
8.8
Values
Rev. 0.9
page 2
2005-09-16
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB80CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD78CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB80N04S2-04 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB80N04S2-H4 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPBH6N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB77N06S3-09_07 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor |
| IPB77N06S309T | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:GREEN |
| IPB77N06S309XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 77A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| IPB79CN10N G | 功能描述:MOSFET N-CH 100 V 79 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB79CN10NGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
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