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参数资料
| 型号： | IPB77N06S3-09 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| 中文描述： | ㈢的OptiMOS - T的功率晶体管 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 165K |
| 代理商： | IPB77N06S3-09 |
IPB77N06S3-09
IPI77N06S3-09, IPP77N06S3-09
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
, pulsed
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Drain-source on-state resistance
I
D
=f(
V
GS
);
V
DS
=10 V
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=77 A;
V
GS
=10 V
parameter:
T
j
7V
8V
9V
10V
5
10
15
20
25
0
20
40
60
80
100
I
D
[A]
R
D
]
5.5 V
6 V
6.5 V
7 V
8 V
10 V
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
1
2
3
V
DS
[V]
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
25 °C
175 °C
-55 °C
0
50
100
150
200
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
[V]
I
D
Rev. 0.9
page 5
2005-09-16
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB80CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD78CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB80N04S2-04 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB80N04S2-H4 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPBH6N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB77N06S3-09_07 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor |
| IPB77N06S309T | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:GREEN |
| IPB77N06S309XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 77A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| IPB79CN10N G | 功能描述:MOSFET N-CH 100 V 79 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB79CN10NGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
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