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参数资料
型号： IPD25CN10NG
厂商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶体管
文件页数： 6/13页
文件大小： 710K
代理商： IPD25CN10NG
IPB26CN10N G IPD25CN10N G
IPI26CN10N G IPP26CN10N G IPU25CN10N G
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=35 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
20
40
60
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
39 μA
390 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
0
Ciss
Coss
Crss
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
0
20
40
60
80
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25 °C, 98%
175 °C, 98%
1
10
100
1000
0
0.5
1
1.5
2
V
SD
[V]
I
F
Rev. 1.01
page 6
2006-06-02
相关PDF资料
PDF描述
IPI26CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB26CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
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