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参数资料
型号： IPD33CN10NG
厂商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶体管
文件页数： 4/13页
文件大小： 707K
代理商： IPD33CN10NG
IPB35CN10N G IPD33CN10N G
IPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N G
1 Power dissipation
2 Drain current
P
tot
=f(
T
C
)
I
D
=f(
T
C
);
V
GS
≥
10 V
3 Safe operating area
4 Max. transient thermal impedance
I
D
=f(
V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
Z
thJC
=f(
t
p
)
parameter:
t
p
parameter:
D
=
t
p
/
T
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
1
10
0
10
-1
10
-2
t
p
[s]
Z
t
0
20
40
60
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
P
t
0
10
20
30
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
I
D
1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
DC
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
V
DS
[V]
I
D
Rev.1.02
page 4
2006-06-02
相关PDF资料
PDF描述
IPI35CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB60R099CP CoolMOS Power Transistor
IPB60R165CP CoolMOS Power Transistor
IPB60R199CP CoolMOS Power Transistor
IPB77N06S3-09 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
相关代理商/技术参数
参数描述
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