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参数资料
型号： IPD33CN10NG
厂商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶体管
文件页数： 7/13页
文件大小： 707K
代理商： IPD33CN10NG
IPB35CN10N G IPD33CN10N G
IPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N G
13 Avalanche characteristics
14 Typ. gate charge
I
AS
=f(
t
AV
);
R
GS
=25
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=27 A pulsed
parameter:
T
j(start)
parameter:
V
DD
15 Drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=1 mA
20 V
50 V
80 V
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
Q
gate
[nC]
V
G
90
95
100
105
110
115
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
V
GS
Q
gate
V
gs(th)
Q
g(th)
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
25 °C
100 °C
150 °C
1
10
100
1
10
100
1000
t
AV
[μs]
I
A
Rev.1.02
page 7
2006-06-02
相关PDF资料
PDF描述
IPI35CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB60R099CP CoolMOS Power Transistor
IPB60R165CP CoolMOS Power Transistor
IPB60R199CP CoolMOS Power Transistor
IPB77N06S3-09 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
相关代理商/技术参数
参数描述
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