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参数资料
型号： IPD350N06LG
厂商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶体管
文件页数： 6/9页
文件大小： 392K
代理商： IPD350N06LG
IPD350N06L G
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=29 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
20
40
60
80
100
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
28 μA
280 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
10
3
10
2
10
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25 °C 98%
175 °C 98%
10
2
10
1
10
0
10
-1
0
1
2
3
V
SD
[V]
I
F
Rev. 1.1
page 6
2006-05-08
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PDF描述
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