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参数资料
| 型号： | IPD640N06LG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢功率晶体管 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 361K |
| 代理商： | IPD640N06LG |
IPD640N06L G
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
3.5 V
4 V
4.5 V
5 V
5.5 V
10 V
0
20
40
60
80
100
120
0
10
20
30
I
D
[A]
R
D
]
25 °C
175 °C
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
V
GS
[V]
I
D
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
I
D
[A]
g
f
3 V
3.5 V
4 V
4.5 V
5 V
5.5 V
10 V
0
10
20
30
0
1
2
3
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.2
page 5
2006-03-27
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD64CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD800N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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