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参数资料
| 型号： | IPD640N06LG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢功率晶体管 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 361K |
| 代理商： | IPD640N06LG |
IPD640N06L G
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=18 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
16 μA
160 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25 °C 98%
175 °C 98%
10
2
10
1
10
0
10
-1
0
1
2
3
V
SD
[V]
I
F
Rev. 1.2
page 6
2006-03-27
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD64CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD800N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPDH6N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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