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参数资料
| 型号： | IPI25N06S3-25 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| 中文描述： | ㈢的OptiMOS - T的功率晶体管 |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | IPI25N06S3-25 |
IPB25N06S3-25
IPI25N06S3-25, IPP25N06S3-25
Opti
MOS
-T
Power-Transistor
Features
N-channel - Enhancement mode
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green package (lead free)
Ultra low Rds(on)
100% Avalanche tested
ESD Class 1C (HBM)
EIA/JESD22-A114-B
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Unit
Continuous drain current
1)
I
D
T
C
=25 °C,
V
GS
=10 V
25
A
T
C
=100 °C,
V
GS
=10 V
2)
23
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
T
C
=25 °C
100
Avalanche energy, single pulse
3)
E
AS
I
D
=12 A
60
mJ
Drain gate voltage
2)
V
DG
55
V
Gate source voltage
4)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
48
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... +175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
V
DS
55
V
R
DS(on),max
(SMD version)
24.8
m
I
D
25
A
Product Summary
PG-TO220-3-1
PG-TO262-3-1
PG-TO263-3-2
Type
Package
Ordering Code
Marking
IPB25N06S3-25
PG-TO263-3-2
SP0000-88000
3N0625
IPI25N06S3-25
PG-TO262-3-1
SP0000-87997
3N0625
IPP25N06S3-25
PG-TO220-3-1
SP0000-88001
3N0625
Rev. 1.0
page 1
2006-04-03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB25N06S3L-22 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPI25N06S3L-22 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPB26CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD25CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI26CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPI25N06S325XK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| IPI25N06S3L-22 | 功能描述:MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 55V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPI25N06S3L22XK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| IPI26CN10N G | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPI26CN10NG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
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