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参数资料
| 型号： | IPI25N06S3-25 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| 中文描述： | ㈢的OptiMOS - T的功率晶体管 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | IPI25N06S3-25 |
IPB25N06S3-25
IPI25N06S3-25, IPP25N06S3-25
1 Power dissipation
2 Drain current
P
tot
= f(
T
C
);
V
GS
≥
6 V
I
D
= f(
T
C
);
V
GS
≥
6 V
3 Safe operating area
4 Max. transient thermal impedance
I
D
= f(
V
DS
);
T
C
= 25 °C;
D
= 0
Z
thJC
= f(
t
p
)
parameter:
t
p
parameter:
D
=
t
p
/
T
1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DS
[V]
I
D
limited by on-state
resistance
single pulse
0.01
0.05
0.1
0.5
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
10
1
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
t
p
[s]
Z
t
0
10
20
30
40
50
60
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
P
t
0
5
10
15
20
25
30
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
I
D
Rev. 1.0
page 4
2006-04-03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB25N06S3L-22 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPI25N06S3L-22 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPB26CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD25CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI26CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPI25N06S325XK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| IPI25N06S3L-22 | 功能描述:MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 55V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPI25N06S3L22XK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| IPI26CN10N G | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPI26CN10NG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
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