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参数资料
| 型号： | IPI26CNE8NG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 658K |
| 代理商： | IPI26CNE8NG |
IPB26CNE8N G IPD25CNE8N G
IPI26CNE8N G IPP26CNE8N G IPU25CNE8N G
PG-TO251-3: Outline
Rev. 1.0
page 12
2006-02-17
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB50CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD49CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI50CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB80N04S2L-03 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB80N06S3L-06 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPI26CNE8NGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| IPI320N20N3 G | 功能描述:MOSFET N-Channel 200V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPI320N20N3G | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| IPI320N20N3GAKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3 |
| IPI320N20N3GXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
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