- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录383112 > IPI26CNE8NG (INFINEON TECHNOLOGIES AG) OptiMOS㈢2 Power-Transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IPI26CNE8NG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 658K |
| 代理商： | IPI26CNE8NG |
IPB26CNE8N G IPD25CNE8N G
IPI26CNE8N G IPP26CNE8N G IPU25CNE8N G
1 Power dissipation
2 Drain current
P
tot
=f(
T
C
)
I
D
=f(
T
C
);
V
GS
≥
10 V
3 Safe operating area
4 Max. transient thermal impedance
I
D
=f(
V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
Z
thJC
=f(
t
p
)
parameter:
t
p
parameter:
D
=
t
p
/
T
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0.1
1
10
t
p
[s]
Z
t
[
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
P
t
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
I
D
1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
DC
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
2
10
1
10
0
10
-1
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.0
page 4
2006-02-17
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB50CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD49CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI50CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB80N04S2L-03 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB80N06S3L-06 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPI26CNE8NGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| IPI320N20N3 G | 功能描述:MOSFET N-Channel 200V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPI320N20N3G | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| IPI320N20N3GAKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3 |
| IPI320N20N3GXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。