参数资料
| 型号： | IPS021S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET LS DRIVER 5A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 130 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 1.8A |
| 电流 - 峰值输出： | 10A |
| 电源电压： | 4 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IPS021S |
IPS021(S)
8
7
6
5
rth = 5 ° C/W
rth = 15 ° C/W
1" footprint 35 ° C/W
std. footprint 60 ° C/W
100
T=25 ° C Std. footprint
T=100 ° C Std. footprint
4
3
2
1
0
10
Current path capability
should be above this curve
Load characteristic should
be below this curve
-50
0
50
100
150
200
1
Figure 13 - Max.Cont. Ids (A)
Vs Amb. Temperature ( o C) IPS021/IPS021S
Figure 14 - Ids (A) Vs Protection Resp. Time (s)
IPS021 & IPS021S
10
1
s ingle puls e m ax. curre nt
100 Hz rth=60 ° C/W dT=25 ° C
1k Hz rth=60 ° C/W dT=25 ° C
10
1
single pulse
100 Hz rth=60 ° C/W dT=25 ° C
1kHz rth=60 ° C/W dT=25 ° C
Vbat = 14 V
Tjini = T sd
Vbat = 14 V
0.1
0 .0 1
0 .1
1
10
100
0.1
0 .0 1
Tjini = T sd
0 .1
1
10
100
Figure 15a - Iclamp (A) Vs Inductive Load (mH)
IPS021
8
Figure 15b - Max. Iclamp (A) Vs Inductive Load
(mH) IPS021S
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS022GTR | IC MOSFET LS DRIVER DUAL 8-SOIC |
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| IPS032G | IC MOSFET PWR SW DUAL 12A 16SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS021SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Power Switch Lo Side 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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| IPS022G | 功能描述:功率驱动器IC IPS 1 Ch Low Side Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IPS022GPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET SMART SWITCH SO-8 |
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