参数资料
| 型号： | IPS021S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET LS DRIVER 5A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 130 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 1.8A |
| 电流 - 峰值输出： | 10A |
| 电源电压： | 4 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IPS021S |
IPS021(S)
1 00
200
180
160
10
140
120
1
100
80
0 .1
0 .0 1
Single pulse
60
40
20
0
Iin,on
Iin,off
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
Figure 16 - Transient Thermal Imped. ( o C/W)
Vs Time (s)
Figure 17 - Input Current (uA) Vs
Junction Temperature ( o C)
16
14
12
10
8
6
Treset
rise tim e
fall tim e
120%
115%
110%
105%
100%
95%
4
2
0
90%
85%
80%
Vds clamp @ Isd
Vin clamp @ 10mA
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
Figure 18 - Rise Time, Fall Time and Treset ( μ s)
Vs Tj ( o C)
www.irf.com
Figure 19 -Vin clamp and Vds clamp (%) Vs
Tj ( o C)
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS022GTR | IC MOSFET LS DRIVER DUAL 8-SOIC |
| IPS024G | IC MOSFET PWR SW QUAD 12A 16SOIC |
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| IPS032G | IC MOSFET PWR SW DUAL 12A 16SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS021SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Power Switch Lo Side 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IPS021STRL | 制造商:International Rectifier 功能描述:50V5.000ATO-220OUTLINE - Tape and Reel |
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| IPS022G | 功能描述:功率驱动器IC IPS 1 Ch Low Side Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IPS022GPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET SMART SWITCH SO-8 |
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