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参数资料
| 型号： | IPS024G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | QUAD FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| 中文描述： | 四充分保护功率MOSFET开关 |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | IPS024G |
Features
Over temperature shutdown
Over current shutdown
Active clamp
Low current & logic level input
E.S.D protection
IPS024G
QUAD FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
Data Sheet No.PD60204
Description
The IPS024G are fully protected quad low side SMART
POWER MOSFETs respectively. They feature over-
current, over-temperature, ESD protection and drain
to source active clamp.These devices combine a
HEXFET POWER MOSFET and a gate driver. They
offer full protection and high reliability required in
harsh environments. The driver allows short switch-
ing times and provides efficient protection by turning
OFF the power MOSFET when the temperature ex-
ceeds 165
o
C or when the drain current reaches 5A.
These devices restart once the input is cycled. The
avalanche capability is significantly enhanced by
the active clamp and covers most inductive load
demagnetizations.
Package
Product Summary
R
ds(on)
150m
(max)
V
clamp
50V
I
shutdown
6A
T
on
/T
off
1.5
μ
s
16-Lead SOIC
IPS024G
(Quad)
www.irf.com
1
Typical Connection
Load
D
S
control
IN
R in series
(if needed)
Logic signal
(Refer to lead assignment for correct pin configuration)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS031G | SINGLE/DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| IPS032G | SINGLE/DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| IPS031S | FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| IPS031 | FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| IPS03N03LA | Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applications |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS031 | 功能描述:IC MOSFET PWR SW SGL 12A TO220-3 RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器 输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧，1.6 欧姆 电流 - 输出 / 通道:205mA，410mA 电流 - 峰值输出:500mA，1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR) |
| IPS031G | 功能描述:IC MOSFET PWR SW SGL 12A 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器 输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧，1.6 欧姆 电流 - 输出 / 通道:205mA，410mA 电流 - 峰值输出:500mA，1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR) |
| IPS031GPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Power Switch Lo Side 1.4A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET SMART SWITCH SO-8 |
| IPS031GTR | 功能描述:IC MOSFET PWR SW SGL 12A 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器 输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧，1.6 欧姆 电流 - 输出 / 通道:205mA，410mA 电流 - 峰值输出:500mA，1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR) |
| IPS031N03L G | 功能描述:MOSFET N-CH 30 V 90 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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