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参数资料
| 型号： | IPS024G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | QUAD FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| 中文描述： | 四充分保护功率MOSFET开关 |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | IPS024G |
IPS024G
www.irf.com
7
Figure 9 - Turn-ON Delay Time, Rise Time & Time to
130% final Rds(on) (us) Vs IN Resistor (
)
Figure 10 - Turn-OFF Delay Time & Fall Time (us)
Vs IN Resistor (
)
0.1
1
10
100
10
100
1000
10000
delay off
fall time
0 .1
1
1 0
1 00
10
100
1000
10000
delay on
rise time
130% rdson
Figure 12 - I shutdown (A) Vs Temperature (
o
C)
Figure 11 - Current Iim. & I shutdown (A)
Vs Vin (V)
0
1
2
3
4
5
6
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
0
2
4
6
8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Isd 25°C
Ilim 25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS031G | SINGLE/DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| IPS032G | SINGLE/DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| IPS031S | FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| IPS031 | FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| IPS03N03LA | Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applications |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS031 | 功能描述:IC MOSFET PWR SW SGL 12A TO220-3 RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器 输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧，1.6 欧姆 电流 - 输出 / 通道:205mA，410mA 电流 - 峰值输出:500mA，1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR) |
| IPS031G | 功能描述:IC MOSFET PWR SW SGL 12A 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器 输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧，1.6 欧姆 电流 - 输出 / 通道:205mA，410mA 电流 - 峰值输出:500mA，1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR) |
| IPS031GPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Power Switch Lo Side 1.4A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET SMART SWITCH SO-8 |
| IPS031GTR | 功能描述:IC MOSFET PWR SW SGL 12A 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器 输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧，1.6 欧姆 电流 - 输出 / 通道:205mA，410mA 电流 - 峰值输出:500mA，1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR) |
| IPS031N03L G | 功能描述:MOSFET N-CH 30 V 90 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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