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参数资料
| 型号： | IPS032G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SINGLE/DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| 中文描述： | 单/双充分保护功率MOSFET开关 |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | IPS032G |
IPS031G/IPS032G
10
www.irf.com
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100 125
150
Treset
rise time
fall time
Figure 19 - Turn-on, Turn-off, and Treset
Vs Tj (
o
C)
01-6027
01-0021 11
(MS-012AA)
8-Lead SOIC
8
7
5
6
5
D
B
E
A
e
6X
H
0.25 [.010]
A
6
4
3
1
2
4. OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE MS-012AA.
NOTES:
1. DIMENSIONING & TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER
3. DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS [INCHES].
7
K x 45
°
8X L
8X c
y
FOOTPRINT
8X 0.72 [.028]
6.46 [.255]
3X 1.27 [.050]
8X 1.78 [.070]
5 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.15 [.006].
6 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 [.010].
7 DIMENSION IS THE LENGTH OF LEAD FOR SOLDERING TO
A SUBSTRATE.
0.25 [.010]
C A B
e1
A
A1
8X b
C
0.10 [.004]
e 1
H
K
L
D
E
e
y
b
c
A
A1
.189
.1497
.050 BASIC
.025 BASIC
0
°
.013
.0075
.0532
.0040
.2284
.0099
.016
.1968
.1574
8
°
.020
.0098
.0688
.0098
.2440
.0196
.050
4.80
3.80
1.27 BASIC
0.635 BASIC
0.33
0.19
1.35
0.10
5.80
0.25
0.40
0
°
5.00
4.00
0.51
0.25
1.75
0.25
6.20
0.50
1.27
8
°
MIN
MAX
MILLIMETERS
MIN
INCHES
MAX
DIM
Case Outlines
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS031S | FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| IPS031 | FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| IPS03N03LA | Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applications |
| IPS042G | DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| IPS05N03LA | RESISTOR CER 7.5K OHM 5W RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS03N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applications |
| IPS03N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 90A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPS03N03LAG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPS03N03LAGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IPS03N03LB G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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