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参数资料
| 型号： | IPS032G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SINGLE/DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| 中文描述： | 单/双充分保护功率MOSFET开关 |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | IPS032G |
IPS031G/IPS032G
www.irf.com
7
Figure 9 - Turn-ON Delay Time, Rise Time &
Time to 130% final Rds(on) Vs IN Resistor (
)
Figure 10 - Turn-OFF Delay Time & Fall Time (us)
Vs IN Resistor (
)
Figure 12 - I shutdown (A) Vs Temperature (oC)
Figure 11 - Current Iimimitation & I shutdown (A)
Vs Vin (V)
0 .1
1
1 0
1 0 0
10
100
1000
10000
delay on
rise time
130% rdson
0 .1
1
1 0
1 0 0
1 0
1 0 0
1 0 00
1 0 00 0
delay off
fall time
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Isd 25°C
Ilim 25°C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS031S | FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| IPS031 | FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| IPS03N03LA | Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applications |
| IPS042G | DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| IPS05N03LA | RESISTOR CER 7.5K OHM 5W RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS03N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applications |
| IPS03N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 90A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPS03N03LAG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPS03N03LAGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IPS03N03LB G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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